單項選擇題刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度，并計算這些點的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
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1.多項選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進行中（）的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)
2.單項選擇題（）是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間
3.單項選擇題電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團
C.電子
D.帶電粒子
4.單項選擇題由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進行刻蝕的濕法還來得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
5.單項選擇題刻蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水
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