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單項選擇題不可以對SiO₂進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。

A.CHF₃
B.C₂F₆
C.C₃F₈
D.HF

1.單項選擇題大硅片上生長的（）的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔

2.單項選擇題刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度，并計算這些點的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案

3.多項選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。

A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)

4.單項選擇題（）是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。

A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間

5.單項選擇題電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。

A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子