單項選擇題離子束垂直進(jìn)入均勻的正交磁場后,將同時受到電場力和()的作用。
A.洛侖茲力
B.反向的電場力
C.庫侖力
D.重力
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題分析器是一種()分選器。
A.電子
B.中子
C.離子
D.質(zhì)子
2.單項選擇題離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中,陽極和插入電極之間形成一個離子密度較()的等離子體。
A.低
B.高
C.均勻
D.不均勻
3.單項選擇題引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強(qiáng)束流,還希望具有較()的氣阻。
A.無序
B.穩(wěn)定
C.小
D.大
4.單項選擇題離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成()離子,并通過一個引出系統(tǒng)形成離子束。
A.正
B.負(fù)
C.中性
D.以上答案都可以
5.單項選擇題在各種離子源常用的放電方式中,EOS是指有()。
A.電子振蕩放電
B.離子自動放電
C.低電壓弧光放電
D.雙等離子電弧放電
最新試題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時,一般使用()。
題型:單項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
題型:單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
題型:多項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是()
題型:單項選擇題
在離子注入完成后,檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
題型:多項選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點,又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
題型:單項選擇題
敘述測試晶體管的方法?
題型:問答題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
題型:單項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
題型:單項選擇題
調(diào)試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的?
題型:問答題