單項選擇題（）就是用功率密度很高的激光束照射半導體表面，使其中離子注入層在極短的時間內(nèi)達到高溫，消除損傷。
A.熱退火
B.激光退火
C.連續(xù)激光退火
D.脈沖激光退火
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題目前，最廣泛使用的退火方式是（）。
A.熱退火
B.激光退火
C.電子束退火
D.離子束退火
2.單項選擇題損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。
A.能量淀積
B.動量淀積
C.能量振蕩
D.動量振蕩
3.多項選擇題哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。
A.低溫注入
B.常溫注入
C.高溫注入
D.分子注入
E.雙注入
4.多項選擇題下列哪些因素會影響臨界注入量的大?。海ǎ?/a>
A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量
5.單項選擇題當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對應(yīng)連續(xù)（）的形成。
A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層
最新試題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機的種類分為（）。
題型：多項選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
題型：單項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項選擇題