單項選擇題目前，最廣泛使用的退火方式是（）。
A.熱退火
B.激光退火
C.電子束退火
D.離子束退火
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。
A.能量淀積
B.動量淀積
C.能量振蕩
D.動量振蕩
2.多項選擇題哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。
A.低溫注入
B.常溫注入
C.高溫注入
D.分子注入
E.雙注入
3.多項選擇題下列哪些因素會影響臨界注入量的大?。海ǎ?。
A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量
4.單項選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對應(yīng)連續(xù)（）的形成。
A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層
5.單項選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無損傷劑量
D.零點劑量
最新試題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項選擇題