多項(xiàng)選擇題哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。
A.低溫注入
B.常溫注入
C.高溫注入
D.分子注入
E.雙注入
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1.多項(xiàng)選擇題下列哪些因素會(huì)影響臨界注入量的大?。海ǎ?。
A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類(lèi)
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對(duì)應(yīng)連續(xù)（）的形成。
A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開(kāi)始飽和的注入劑量稱(chēng)為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無(wú)損傷劑量
D.零點(diǎn)劑量
4.多項(xiàng)選擇題對(duì)于非晶靶，離子注入的射程分布取決于（）。
A.入射離子的能量
B.入射離子的質(zhì)量
C.入射離子的原子序數(shù)
D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度
E.注入離子的總劑量
5.單項(xiàng)選擇題離子散射方向與入射方向的夾角，稱(chēng)為（）。
A.漸近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角
最新試題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見(jiàn)的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題