多項(xiàng)選擇題下列哪些因素會(huì)影響臨界注入量的大小：（）。
A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對(duì)應(yīng)連續(xù)（）的形成。
A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開(kāi)始飽和的注入劑量稱為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無(wú)損傷劑量
D.零點(diǎn)劑量
3.多項(xiàng)選擇題對(duì)于非晶靶，離子注入的射程分布取決于（）。
A.入射離子的能量
B.入射離子的質(zhì)量
C.入射離子的原子序數(shù)
D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度
E.注入離子的總劑量
4.單項(xiàng)選擇題離子散射方向與入射方向的夾角，稱為（）。
A.漸近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角
5.單項(xiàng)選擇題射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長(zhǎng)度稱之為（）。
A.投影射程
B.射程縱向分量
C.射程橫向分量
D.有效射程
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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