問答題簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
描述電子回旋共振(ECR)。
題型:問答題
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
題型:問答題
例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。
題型:問答題
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型:問答題
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么?
題型:問答題
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別?為什么正膠是普遍使用的光刻膠?最常用的正膠是指哪些膠?
題型:問答題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。
題型:問答題
離子源的目的是什么?最常用的離子源是什么?
題型:問答題
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
題型:問答題
什么是結(jié)深?
題型:問答題