金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱(chēng)為位錯(cuò)。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）

值稱(chēng)為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周?chē)鷼夥崭綦x。（）