光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）

晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個階段。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）