單項選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行（）擴散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
2.單項選擇題Ⅰ號液是（）過氧化氫清洗液.
A.堿性
B.酸性
C.中性
3.單項選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個使用的時間長
4.單項選擇題恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
5.單項選擇題從離子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束
最新試題
拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
題型：判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）
題型：判斷題
目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）
題型：判斷題
位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題
晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學(xué)性能都相同。（）
題型：判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）
題型：判斷題
片狀源擴散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）
題型：判斷題
硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）
題型：判斷題