在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們?cè)陔娦阅苌舷嗷ソ^緣。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。（）

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）