半導體芯片制造工半導體制造技術章節(jié)練習(2018.09.25)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

參考答案：如果假設硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

2.問答題什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結晶性只有當入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...

3.問答題簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的，由于反應速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

4.問答題說明SiO₂的結構和性質(zhì)，并簡述結晶型SiO₂和無定形SiO₂的區(qū)別。

參考答案：結晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構成每個頂角的O原子與兩個...

5.問答題 下圖是硅烷反應淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。

參考答案：（1）反應氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運；
（2）這些氣體反應生成系列次生分子；
（3）這些反應物輸...

6.問答題什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

參考答案：固相外延是指半導體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結晶的過程。固相外延存在問題—&mda...

7.問答題下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽w制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

參考答案：ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點為放電的著火點，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...

8.問答題簡述BOE（或BHF）刻蝕SiO₂的原理。

參考答案：二氧化硅腐蝕最常見的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...

9.問答題在光刻中，能夠在增加分辨率的同時增加聚焦深度嗎？為什么？

參考答案：不能！聚焦深度：在保持圖形聚焦的前提下，沿著光路方向晶圓片移動的距離是聚焦深度——
，...

10.問答題 下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標識部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...