你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題
微電子器件對(duì)加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴(yán)格的要求。我國(guó)潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001中，100級(jí)的含義是：每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個(gè)數(shù)為（）
A.35；
B.100；
C.102；
D.237。
判斷題
側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
答案：正確
判斷題
離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小，影響器件的集成度和性能。
答案：正確
判斷題
在各向同性刻蝕時(shí)，薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
外延生長(zhǎng)過(guò)程中雜質(zhì)的對(duì)流擴(kuò)散效應(yīng)，特別是高濃度一側(cè)向異側(cè)端的擴(kuò)散，不僅使界面附近濃度分布偏離了理想情況下的突變分布而形成緩變，且只有在離界面稍遠(yuǎn)處才保持理想狀態(tài)下的均勻分布，使外延層有效厚度變窄。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
曝光波長(zhǎng)的縮短可以使光刻分辨率線性提高，但同時(shí)會(huì)使焦深線性減小。如果增大投影物鏡的數(shù)值孔徑，那么在提高光刻分辨率的同時(shí)，投影物鏡的焦深也會(huì)急劇減小，因此在分辨率和焦深之間必須折衷。
答案：正確
判斷題
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。
答案：正確
判斷題
蒸發(fā)最大的缺點(diǎn)是不能產(chǎn)生均勻的臺(tái)階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分
答案：錯(cuò)誤
判斷題
LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。
答案：錯(cuò)誤

首頁(yè)

題庫(kù)

網(wǎng)課

在線模考

桌面端

采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層，是利用其具有的（）

你可能感興趣的試題

側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。

離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。

熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小，影響器件的集成度和性能。

在各向同性刻蝕時(shí)，薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

蒸發(fā)最大的缺點(diǎn)是不能產(chǎn)生均勻的臺(tái)階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分

LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。

采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層，是利用其具有的（）

你可能感興趣的試題

側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。

離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。

熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小，影響器件的集成度和性能。

在各向同性刻蝕時(shí)，薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

蒸發(fā)最大的缺點(diǎn)是不能產(chǎn)生均勻的臺(tái)階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分

LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。

采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層，是利用其具有的（）

側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。

離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。

熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小，影響器件的集成度和性能。

在各向同性刻蝕時(shí)，薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。