CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝的特點包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。