IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。