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離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度,因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。
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判斷題
熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散,因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小,影響器件的集成度和性能。
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在各向同性刻蝕時(shí),薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度,則必須采用各向異性刻蝕。
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