濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。