判斷題側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
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