常壓的硅外延方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

光刻工藝的特點包括（）。