進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。