影響封裝芯片特性的溫度有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。