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填空題勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。

1.填空題大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（）濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的（）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（）多子濃度可以忽略。

2.填空題小注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（）濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的（）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（）多子濃度可以忽略。

3.填空題薄基區(qū)二極管是指PN結(jié)的某一個(gè)或兩個(gè)中性區(qū)的長(zhǎng)度小于（）。在薄基區(qū)二極管中，少子濃度的分布近似為（）。

4.填空題在PN結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時(shí)，以（）電流為主；當(dāng)電壓較高時(shí)，以（）電流為主。

5.填空題當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，由N區(qū)注入P區(qū)的非平衡電子一邊向前擴(kuò)散，一邊（）。每經(jīng)過(guò)一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度的距離，非平衡電子濃度降到原來(lái)的（）。

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