目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

CMP的設備構成包括（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

光刻工藝的特點包括（）。