單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
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1.單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長(zhǎng)工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
2.多項(xiàng)選擇題鑒定加速試驗(yàn)中，溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括（）。
A.恒溫試驗(yàn)
B.功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)
C.溫度循環(huán)試驗(yàn)
D.熱沖擊試驗(yàn)
3.單項(xiàng)選擇題溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
4.多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測(cè)試包括功能測(cè)試和參數(shù)測(cè)試，以下屬于電學(xué)測(cè)試的為（）。
A.電流
B.電場(chǎng)強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗
5.單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測(cè)試方法，屬于破壞性測(cè)試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測(cè)
D.紅外光譜分析
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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