光刻工藝對準誤差包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。