IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。