互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。