當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。