高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）

敘述測(cè)試晶體管的方法？

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

刻蝕的過程中，對(duì)刻蝕的要求是（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）