通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）

影響顯影工藝的因素有（）。

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

（）可以通過帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）