傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）

堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。

一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

影響顯影工藝的因素有（）。

離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）