高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。