高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是（）