在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

敘述測試晶體管的方法？