摻雜后退火時間一般在（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。