CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。