刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。