是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中,將雜質擴散到硅片內(nèi)的一種方法。
在半導體中加入微量的其他元素的原子,可以改變半導體的導電能力和導電類型。
當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化,從而漏電流略有增加。
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
新的平坦化方法有哪幾個?()
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標?()
互連工藝中AL的制備可選用()。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移?()
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
光刻工藝對準誤差包括()。
光刻工藝的設備核心是()。
摻雜后退火時間一般在()。