多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）