光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。