光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。