MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

光電導(dǎo)效應(yīng)

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。