提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

光生伏特效應(yīng)

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

磁滯回線