你可能感興趣的試題

問答題
【簡答題】簡述CMOS IC工藝中的三種阱區(qū)形成工藝
答案：高能量、低電流的離子注入；加熱退火/擴散工藝；自對準雙阱工藝。
問答題
【簡答題】簡述集成電路制造中的四種隔離技術
答案：整面全*區(qū)覆蓋氧化層、局部硅氧化（LOCOS）、淺槽隔離（STI）、P型摻雜結也可以用于形成相鄰晶體管的電氣隔離。
問答題
【簡答題】簡述CMP技術的優(yōu)點
答案：優(yōu)點：
（1）CMP可以將晶圓表面平坦化，可以允許高解析度的光刻技術。被平坦化的表面可以消除側壁變薄引起金屬導...
問答題
【簡答題】簡述鉭在銅互連工藝中的作用
答案：①鉭作為銅淀積前的阻擋層，可以防止銅擴散穿過氧化硅進入硅襯底損壞元器件。
②鉭與鈦、氮化鈦阻擋層材料相比，是一...
問答題
【簡答題】簡述雙重鑲嵌銅互連技術的幾個挑戰(zhàn)及雙鑲嵌銅互連工藝流程
答案：挑戰(zhàn)：
①高深寬比的金屬層間接觸孔需要點擊一層銅阻擋層以防止銅擴散，這個阻擋層需要良好的側壁和底層階梯覆蓋、優(yōu)...
問答題
【簡答題】什么叫“電遷移現象”，集成電路工藝中如何減小電遷移現象。
答案：鋁金屬是一種多晶態(tài)材料，包含了許多小的單晶態(tài)晶粒。當電流通過鋁線時，電流會持續(xù)不斷碰撞晶粒。一些較小的晶粒就開始移動，如...
問答題
【簡答題】什么叫“結尖刺效應”，集成電路工藝中如何避免鋁的結尖刺效應？
答案：硅可以溶解在鋁中。在源/漏區(qū)，鋁金屬會與硅直接接觸，硅會溶入鋁中，而鋁會擴散進入硅內形成鋁尖凸物。鋁的尖凸物可以穿透摻雜...
問答題
【簡答題】90年代以前，哪些因素影響銅用于IC工藝
答案：器件尺寸；器件密度；化學機械研磨工藝；多重金屬連線；
鋁金屬的電導率在金屬中排第四，僅次于銀、銅、金。鋁是這四...
問答題
【簡答題】半導體工藝中電介質薄膜的應用
答案：
（1）作為鈍化保護層
（2）ILD0的摻雜物阻擋層
（3）紫外線可以穿透的保護層
（4）作為ILD材料
問答題
【簡答題】簡述源材料擴散穿過邊界表面時的兩種表面吸附
答案：
化學吸附：襯底表面的原子與吸附的源材料的分子內的原子形成化學鍵；
物理吸附：吸附在源材料的表面

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【簡答題】解釋說明自對準柵工藝流程，為什么當圖形化尺寸小到0.18um時，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當圖形化尺寸小到65nm時，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？

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【簡答題】90年代以前，哪些因素影響銅用于IC工藝

【簡答題】半導體工藝中電介質薄膜的應用

【簡答題】簡述源材料擴散穿過邊界表面時的兩種表面吸附

【簡答題】解釋說明自對準柵工藝流程，為什么當圖形化尺寸小到0.18um時，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當圖形化尺寸小到65nm時，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？

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【簡答題】什么叫“電遷移現象”，集成電路工藝中如何減小電遷移現象。

【簡答題】什么叫“結尖刺效應”，集成電路工藝中如何避免鋁的結尖刺效應？

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