IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）