注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。