如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）