金屬化中可選用的金屬材料有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。