碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

CMP的設備構成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝的特點包括（）。